- Máy chủ
- Các thành phần
- Sợi carbon
- Chip chuyển đổi tín hiệu tương tự sang tín hiệu số
- IC quản lý nguồn
- kho
- Bộ định tuyến H3C
- Máy chủ H3C
- Máy chủ Inspur
- ổ cứng
- Đầu vào tương tự của bộ chuyển đổi vòng lặp HART
- người đọc
- Mô-đun Ethernet
- EDGE Guardmaster
- MAT Guardmaster
- Quản lý thảm MatGuard
- rơle
- điều khiển nguồn
- công tắc
- bộ truyền động servo
- Mô-đun I/O
- Đầu nối cầu (đầu cắm nối tắt)
- Giao diện người máy (HMI)
- giám sát nguồn điện
- màn hình giám sát điện 1420
- Biến áp dòng điện 1411
- ổ cắm
- hệ thống
- rơle điện
- bộ chuyển đổi tần số
- Lắp đầu nối GND vào bo mạch.
- bộ thu phát
- Thẻ tùy chọn mô-đun
- mô-đun
0102030405
Máy hàn biến tần công suất cao IKW30N60T TO-247 sử dụng transistor IGBT.
Công nghệ và ưu điểm của sản phẩm
IKW30N60T là sản phẩm IGBT (Transistor lưỡng cực cổng cách điện) 600V do Infineon Technologies sản xuất, được đóng gói trong vỏ TO-247. Sản phẩm này có các đặc điểm sau:
Điện áp giảm bão hòa thấp (VCEsat), với giá trị điển hình là 1,5V.
Nhiệt độ mối nối tối đa là 175 °C.
Thời gian chịu đựng ngắn mạch là 5 micro giây.
Được thiết kế cho bộ biến tần và bộ nguồn dự phòng (UPS).
Áp dụng công nghệ TRENCHSTOP ™ với Fieldstop, sản phẩm cung cấp khả năng phân bổ thông số nhỏ gọn, độ bền cao, hoạt động ổn định theo nhiệt độ, tốc độ chuyển mạch nhanh và VCE (bão hòa) thấp.
Với hệ số nhiệt độ dương, nó rất thuận tiện cho việc chuyển mạch song song.
Độ nhiễu điện từ (EMI) thấp và điện tích cổng thấp.
Một điốt điều khiển chống phát song song có khả năng phục hồi rất nhanh và mềm mại.
Kiểm định ứng dụng mục tiêu theo tiêu chuẩn JEDEC.
Lớp phủ không chứa chì, tuân thủ tiêu chuẩn RoHS.
Quy trình sản xuất sản phẩm
Các giá trị định mức tối đa của IKW30N60T bao gồm:
Điện áp cực thu-cực phát (VCE) là 600V.
Dòng điện cực góp DC (IC) là 45A ở 25°C và 39A ở 100°C.
Dòng điện cực góp xung (ICpulses) là 90A.
Điện áp giữa cực cổng và cực phát (VGE) là ± 20V.
Thời gian chịu đựng ngắn mạch là 5 micro giây.
Công suất tiêu thụ (Ptot) là 187W ở 25 °C.
Điện áp đánh thủng cực góp-cực phát (V (BR) C) là 600V.
Điện áp bão hòa cực thu-cực phát (VCE (sat)) là 1,5V ở 25 °C và 1,9V ở 175 °C.
Điện áp thuận (VF) của điốt là 1,65V ở 25°C và 1,6V ở 175°C.
Điện áp ngưỡng cổng-phát (VGE (th)) nằm trong khoảng từ 4,1V đến 5,7V.
Dòng điện cực góp ở điện áp cổng bằng không (ICE (S)) là 40 µA ở 25 °C và 2000 µA ở 175 °C.
Thời gian trễ dẫn truyền (td (on)) là 23ns.
Thời gian tăng (tr) là 21 ns.
Thời gian trễ tắt máy (td (off)) là 254ns.
Thời gian rơi (tf) là 46ns.
Năng lượng dẫn điện (Eon) là 0,69 mJ.
Năng lượng tắt (Eoff) là 0,77 mJ.
Tổng năng lượng chuyển mạch (Ets) là 1,46 mJ.
Các lĩnh vực ứng dụng sản phẩm
IKW30N60T là một MOSFET công suất hiệu năng cao do Infineon sản xuất, có điện trở bật thấp, khả năng chịu nhiệt cao, đặc tính chuyển mạch nhanh và độ tin cậy cao.
1. Nguồn điện: IKW30N60T có thể được sử dụng trong các mạch như nguồn chuyển mạch, biến tần và bộ chuyển đổi DC-DC để cung cấp nguồn điện đầu ra ổn định.
2. Bộ truyền động động cơ: Trong các hệ thống truyền động động cơ như xe điện, robot công nghiệp, tuabin gió, v.v., IKW30N60T giúp điều khiển động cơ và chuyển đổi năng lượng hiệu quả.
3. Ứng dụng chiếu sáng: Trong các hệ thống chiếu sáng LED, IKW30N60T có thể được sử dụng cho các mạch điều khiển và quản lý công suất, giúp cải thiện hiệu quả năng lượng và độ ổn định của hệ thống chiếu sáng.
4. Tự động hóa công nghiệp: IKW30N60T có thể được sử dụng trong các thiết bị tự động hóa công nghiệp, chẳng hạn như hệ thống điều khiển PLC, bộ điều khiển cảm biến, v.v., để nâng cao hiệu suất và độ tin cậy của thiết bị.
Dịch vụ hậu mãi sản phẩm
Quy trình kiểm tra hệ thống mô-đun Qur bao gồm:
1. Kiểm tra nhãn theo bảng dữ liệu. Đảm bảo Logo, PN, D/C, Số lô, MSL, RoHS, v.v. trên nhãn là chính xác.
2. Kiểm tra tình trạng đóng gói và đảm bảo tất cả sản phẩm được niêm phong chống tĩnh điện tốt.
3. Quan sát chi tiết như in ấn và kiểm tra chốt dưới kính hiển vi để phát hiện chất lượng.
4. Tiến hành các thử nghiệm bổ sung như thử nghiệm điện hoặc các thử nghiệm kỹ thuật khác để đảm bảo hơn nữa thông qua các phòng thí nghiệm thử nghiệm nội bộ được chứng nhận của chúng tôi.
5. Ảnh kỹ thuật số của tất cả các linh kiện Hệ thống mạch tích hợp xuất xưởng.
mô tả2