Электронная почта:sales@hsbytechnology.com
WhatsApp:8613480819877
Leave Your Message
Категории товаров
Рекомендуемые товары

IKW30N60T TO-247 Модули IGBT Мощный инверторный сварочный аппарат с транзисторами

Производство: Инфинеон
Категория: Модули силового транзистора IGBT
Описание: IKW30N60T 30A 600V
Упаковка: ТО247AC-3

    Технология и преимущества продукта

    IKW30N60T — это 600-вольтовый IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), производимый компанией Infineon Technologies, в корпусе TO-247. Данный продукт обладает следующими характеристиками:
    Низкое падение напряжения насыщения (VCEsat), типичное значение которого составляет 1,5 В.
    Максимальная температура перехода составляет 175 °C.
    Время выдерживания короткого замыкания составляет 5 микросекунд.
    Предназначен для преобразователей частоты и источников бесперебойного питания (ИБП).
    Благодаря использованию технологии TRENCHSTOP™ With Fieldstop обеспечивается компактное распределение параметров, высокая надежность, температурная стабильность, высокая скорость переключения и низкое значение VCE (sat).
    Благодаря положительному температурному коэффициенту, это удобно для параллельного переключения.
    Низкий уровень электромагнитных помех (ЭМП) и низкий заряд затвора.
    Диод управления с антипараллельным эмиттером, обладающий очень мягким и быстрым восстановлением.
    Проверьте целевое приложение в соответствии со стандартами JEDEC.
    Бессвинцовое покрытие, соответствующее стандартам RoHS.
    IKW30N60T

    Процесс производства продукции

    Максимально допустимые значения параметров стали IKW30N60T включают:
    Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 600 В.
    Ток коллектора постоянного тока (IC) составляет 45 А при 25 °C и 39 А при 100 °C.
    Ток коллектора импульсов (ICpulses) составляет 90 А.
    Напряжение затвор-эмиттер (VGE) составляет ± 20 В.
    Время выдерживания короткого замыкания составляет 5 микросекунд.
    Рассеиваемая мощность (Ptot) составляет 187 Вт при температуре 25 °C.

    К электрическим характеристикам относятся:
    Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (V(BR)C) составляет 600 В.
    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE (sat)) составляет 1,5 В при 25 °C и 1,9 В при 175 °C.
    Прямое напряжение (VF) диода составляет 1,65 В при 25 °C и 1,6 В при 175 °C.
    Пороговое напряжение затвор-эмиттер (VGE (th)) находится в диапазоне от 4,1 В до 5,7 В.
    Ток коллектора при нулевом напряжении затвора (ICE (S)) составляет 40 мкА при 25 °C и 2000 мкА при 175 °C.

    Характеристики переключателя включают в себя:
    Время задержки проводимости (td (on)) составляет 23 нс.
    Время нарастания (tr) составляет 21 нс.
    Время задержки выключения (td (off)) составляет 254 нс.
    Время спуска (tf) составляет 46 нс.
    Энергия проводимости (Eon) составляет 0,69 мДж.
    Энергия выключения (Eoff) составляет 0,77 мДж.
    Суммарная энергия переключения (Ets) составляет 1,46 мДж.

    Области применения продукции

    IKW30N60T — это высокопроизводительный силовой MOSFET-транзистор производства Infineon, отличающийся низким сопротивлением в открытом состоянии, высокой термостойкостью, быстрыми характеристиками переключения и высокой надежностью.

    1. Источник питания: Микросхема IKW30N60T может использоваться в схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы и DC-DC преобразователи, для обеспечения стабильного выходного напряжения.

    2. Привод двигателя: В системах электропривода, таких как электромобили, промышленные роботы, ветряные турбины и т. д., IKW30N60T обеспечивает эффективное управление двигателем и преобразование энергии.

    3. Применение освещения: В светодиодных системах освещения IKW30N60T может использоваться для управления цепями и регулирования мощности, повышая энергоэффективность и стабильность системы освещения.

    4. Промышленная автоматизация: Микросхема IKW30N60T может использоваться в оборудовании промышленной автоматизации, таком как системы управления ПЛК, драйверы датчиков и т. д., для повышения производительности и надежности оборудования.

    Послепродажное обслуживание продукции

    Процедура проверки модульных систем Qur включает в себя:
    1. Проверка этикетки в соответствии с техническим паспортом. Убедитесь, что логотип, номер детали, номер партии, номер партии, соответствие требованиям MSL, RoHS и т.д. на этикетке указаны правильно.
    2. Проверка состояния упаковки и обеспечение надежной антистатической герметизации всех изделий.
    3. Расширенные возможности, такие как проверка качества печати и маркировки деталей под микроскопом.
    4. Для обеспечения дополнительной гарантии проведите дополнительные испытания, такие как электрические или другие технические проверки, в наших собственных сертифицированных испытательных лабораториях.
    5. Цифровые фотографии всех отгружаемых компонентов интегральных микросхем.

    Каждый этап тщательно контролируется и направлен на обеспечение того, чтобы вся продукция поставлялась в соответствии с ожидаемыми стандартами качества.
    201

    описание2