WhatsApp:8613480819877
Leave Your Message
Kategorie produktów
Polecane produkty

Moduły IKW30N60T TO-247 IGBT Spawarka inwertorowa dużej mocy z tranzystorem

Produkcja: INFINEON
Kategoria: Moduły tranzystora mocy IGBT
Opis: IKW30N60T 30A 600V
Pakiet: TO247AC-3

    Technologia i zalety produktu

    IKW30N60T to tranzystor bipolarny IGBT (z izolowaną bramką) o napięciu 600 V, produkowany przez Infineon Technologies, w obudowie TO-247. Produkt ten charakteryzuje się następującymi cechami:
    Niski spadek napięcia nasycenia (VCEsat) o typowej wartości 1,5 V.
    Maksymalna temperatura złącza wynosi 175 °C.
    Czas wytrzymywania zwarcia wynosi 5 mikrosekund.
    Przeznaczony do przetwornic częstotliwości i zasilaczy UPS.
    Zastosowanie technologii TRENCHSTOP™ z Fieldstop zapewnia kompaktowy rozkład parametrów, wysoką wytrzymałość, stabilność temperaturową, dużą prędkość przełączania i niskie VCE (nasycenie).
    Mając dodatni współczynnik temperaturowy, wygodnie jest przełączać równolegle.
    Niskie zakłócenia elektromagnetyczne (EMI) i niski ładunek bramki.
    Bardzo miękka i szybko odzyskująca się dioda sterująca emiterem antyrównoległym.
    Zweryfikuj aplikację docelową zgodnie ze standardami JEDEC.
    Powłoka bezołowiowa, zgodna z normami RoHS.
    IKW30N60T

    Proces wytwarzania produktu

    Maksymalne wartości znamionowe IKW30N60T obejmują:
    Napięcie kolektor-emiter (VCE) wynosi 600V.
    Prąd kolektora stałego (IC) wynosi 45 A przy 25 °C i 39 A przy 100 °C.
    Prąd kolektora impulsów (ICpulses) wynosi 90A.
    Napięcie bramka-emiter (VGE) wynosi ± 20V.
    Czas wytrzymywania zwarcia wynosi 5 mikrosekund.
    Moc rozpraszana (Ptot) wynosi 187W przy 25°C.

    Charakterystyki elektryczne obejmują:
    Napięcie przebicia kolektor-emiter (V (BR) C) wynosi 600V.
    Napięcie nasycenia kolektor-emiter (VCE (sat)) wynosi 1,5 V przy 25 °C i 1,9 V przy 175 °C.
    Napięcie przewodzenia (VF) diody wynosi 1,65 V przy 25°C i 1,6 V przy 175°C.
    Napięcie progowe emitera bramki (VGE (th)) wynosi od 4,1 V do 5,7 V.
    Prąd kolektora przy zerowym napięciu bramki (ICE (S)) wynosi 40 µA przy 25°C i 2000 µA przy 175°C.

    Charakterystyka przełącznika obejmuje:
    Czas opóźnienia przewodzenia (td (on)) wynosi 23 ns.
    Czas narastania (tr) wynosi 21 ns.
    Czas opóźnienia wyłączenia (td (off)) wynosi 254 ns.
    Czas zniżania (tf) wynosi 46 ns.
    Energia przewodzenia (Eon) wynosi 0,69 mJ.
    Energia wyłączona (Eoff) wynosi 0,77 mJ.
    Całkowita energia przełączania (Ets) wynosi 1,46 mJ.

    Obszary zastosowań produktu

    IKW30N60T to wydajny tranzystor MOSFET produkowany przez firmę Infineon, charakteryzujący się niską rezystancją, wysoką tolerancją temperaturową, szybkim przełączaniem i wysoką niezawodnością.

    1.Zasilanie: IKW30N60T można stosować w układach, takich jak zasilacze impulsowe, inwertery i przetwornice DC-DC, w celu zapewnienia stabilnej mocy wyjściowej.

    2. Napęd silnikowy: W układach napędowych silników elektrycznych, takich jak pojazdy elektryczne, roboty przemysłowe, turbiny wiatrowe itp., IKW30N60T zapewnia wydajną kontrolę silnika i konwersję mocy.

    3.Zastosowanie oświetlenia: W systemach oświetlenia LED IKW30N60T można stosować do sterowania obwodami i sterowania mocą, zwiększając efektywność energetyczną i stabilność systemu oświetleniowego.

    4.Automatyka przemysłowa: IKW30N60T można stosować w urządzeniach automatyki przemysłowej, takich jak systemy sterowania PLC, sterowniki czujników itp., w celu poprawy wydajności i niezawodności urządzeń.

    Obsługa posprzedażowa produktu

    Procedura kontroli systemów modułów Qur obejmuje:
    1. Weryfikacja etykiety zgodnie z kartą katalogową. Upewnij się, że logo, numer partii, kod D/C, numer partii, MSL, RoHS itp. na etykiecie są poprawne.
    2. Kontrola stanu opakowania i upewnienie się, że wszystkie produkty są dobrze zabezpieczone antystatycznie.
    3. Szczegółowe widoki, takie jak drukowanie i sprawdzanie pinów pod mikroskopem, w celu wykrywania jakości.
    4. Przeprowadzanie dodatkowych testów, takich jak testy elektryczne lub inne testy techniczne w celu uzyskania dalszej gwarancji, w naszych wewnętrznych, certyfikowanych laboratoriach testowych.
    5. Zdjęcia cyfrowe wszystkich wychodzących części układów scalonych.

    Każdy etap jest niezwykle rygorystyczny i ma na celu zapewnienie, że wszystkie produkty będą dostarczane zgodnie z oczekiwanymi standardami doskonałości i jakości.
    201

    opis2