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IKW30N60T TO-247モジュール IGBT高出力インバータ溶接機（トランジスタ搭載）
製品の技術と利点
IKW30N60Tは、インフィニオン・テクノロジーズ社製の600V IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）製品で、TO-247パッケージに収められています。この製品には以下の特性があります。
飽和電圧降下（VCEsat）が低く、標準値は1.5Vです。
接合部の最大温度は175℃です。
短絡耐時間は5マイクロ秒です。
周波数変換器および無停電電源装置（UPS）向けに設計されています。
TRENCHSTOP™とFieldstopテクノロジーを採用することで、コンパクトなパラメータ分布、高い堅牢性、温度安定性、高速スイッチング速度、低VCE（飽和）を実現しています。
正の温度係数を持つため、並列スイッチングに便利です。
低電磁干渉（EMI）および低ゲート電荷。
非常にソフトで高速な回復特性を持つ、アンチパラレルエミッタ制御ダイオード。
JEDEC規格に従って対象アプリケーションを検証する。
鉛フリーコーティング、RoHS指令準拠。
製品製造プロセス
IKW30N60Tの最大定格値は以下のとおりです。
コレクタ・エミッタ間電圧（VCE）は600Vです。
直流コレクタ電流（IC）は、25℃で45A、100℃で39Aです。
パルスコレクタ電流（ICpulses）は90Aです。
ゲート・エミッタ間電圧（VGE）は±20Vです。
短絡耐時間は5マイクロ秒です。
消費電力（Ptot）は25℃で187Wです。
コレクタ・エミッタ間降伏電圧（V(BR)C）は600Vです。
コレクタ・エミッタ飽和電圧（VCE（sat））は、25℃で1.5V、175℃で1.9Vです。
このダイオードの順方向電圧（VF）は、25℃で1.65V、175℃で1.6Vです。
ゲート・エミッタしきい値電圧（VGE（th））は4.1V～5.7Vです。
ゲート電圧ゼロ時のコレクタ電流（ICE（S））は、25℃で40μA、175℃で2000μAです。
伝導遅延時間（td（オン））は23nsです。
立ち上がり時間（tr）は21ナノ秒です。
シャットダウン遅延時間（td（off））は254nsです。
降下時間（tf）は46ナノ秒です。
伝導エネルギー（Eon）は0.69mJです。
放出エネルギー（Eoff）は0.77mJです。
総スイッチエネルギー（Ets）は1.46mJです。
製品の適用分野
IKW30N60Tは、インフィニオン社製の高性能パワーMOSFETで、低オン抵抗、高温耐性、高速スイッチング特性、高信頼性を特長としています。
1.電源： IKW30N60Tは、スイッチング電源、インバータ、DC-DCコンバータなどの回路で使用でき、安定した電力出力を提供します。
2.モーター駆動： 電気自動車、産業用ロボット、風力タービンなどのモーター駆動システムにおいて、IKW30N60Tは効率的なモーター制御と電力変換を実現します。
3.照明用途： LED照明システムにおいて、IKW30N60Tは駆動回路や電力制御に使用でき、照明システムのエネルギー効率と安定性を向上させることができます。
4.産業オートメーション： IKW30N60Tは、PLC制御システムやセンサードライバなどの産業オートメーション機器に使用でき、機器の性能と信頼性を向上させます。
製品のアフターサービス
Qurモジュールシステムの検査手順には以下が含まれます
1. データシートに従ってラベルを確認します。ラベルに記載されているロゴ、PN、D/C、LOT番号、MSL、RoHSなどが正しいことを確認してください。
2.梱包状態検査を行い、すべての製品が帯電防止シールでしっかりと密封されていることを確認します。
3. 印刷やピンチェックなどの品質検査のための顕微鏡下での広範囲な観察。
4. 当社の社内認定試験ラボを通じて、電気試験やその他の技術試験などの追加試験を実施し、さらなる保証を提供します。
5. 出荷されるすべての集積回路システム部品のデジタル写真。
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