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Saldatrice a inverter ad alta potenza con transistor IKW30N60T TO-247 Moduli IGBT
Tecnologia e vantaggi del prodotto
L'IKW30N60T è un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) da 600 V prodotto da Infineon Technologies, in contenitore TO-247. Questo prodotto presenta le seguenti caratteristiche:
Bassa caduta di tensione di saturazione (VCEsat), con un valore tipico di 1,5 V.
La temperatura massima di giunzione è di 175 °C.
Il tempo di tenuta al cortocircuito è di 5 microsecondi.
Progettato per convertitori di frequenza e gruppi di continuità (UPS).
Adottando la tecnologia TRENCHSTOP™ con Fieldstop, offre una distribuzione compatta dei parametri, elevata robustezza, comportamento stabile in temperatura, elevata velocità di commutazione e basso VCE (sat).
Avendo un coefficiente di temperatura positivo, è conveniente per la commutazione in parallelo.
Bassa interferenza elettromagnetica (EMI) e bassa carica di gate.
Un diodo di controllo antiparallelo a emettitore con recupero molto morbido e veloce.
Convalidare l'applicazione di destinazione secondo gli standard JEDEC.
Rivestimento privo di piombo, conforme agli standard RoHS.
Processo di fabbricazione del prodotto
I valori nominali massimi del modello IKW30N60T includono:
La tensione collettore-emettitore (VCE) è di 600 V.
La corrente continua del collettore (IC) è di 45 A a 25 °C e di 39 A a 100 °C.
La corrente del collettore di impulsi (ICpulses) è di 90 A.
La tensione gate-emettitore (VGE) è di ± 20V.
Il tempo di tenuta al cortocircuito è di 5 microsecondi.
La potenza dissipata (Ptot) è di 187 W a 25 °C.
La tensione di rottura collettore-emettitore (V(BR)C) è di 600V.
La tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE (sat)) è di 1,5 V a 25 °C e di 1,9 V a 175 °C.
La tensione diretta (VF) del diodo è di 1,65 V a 25 °C e di 1,6 V a 175 °C.
La tensione di soglia gate-emettitore (VGE (th)) è compresa tra 4,1 V e 5,7 V.
La corrente di collettore a tensione di gate zero (ICE (S)) è di 40 µ A a 25 ° C e di 2000 µ A a 175 ° C.
Il tempo di ritardo di conduzione (td (on)) è di 23 ns.
Il tempo di salita (tr) è di 21 ns.
Il tempo di ritardo di spegnimento (td (off)) è di 254 ns.
Il tempo di discesa (tf) è di 46 ns.
L'energia di conduzione (Eon) è pari a 0,69 mJ.
L'energia di spegnimento (Eoff) è di 0,77 mJ.
L'energia totale di commutazione (Ets) è di 1,46 mJ.
Ambiti di applicazione del prodotto
L'IKW30N60T è un MOSFET di potenza ad alte prestazioni prodotto da Infineon, caratterizzato da bassa resistenza di conduzione, elevata tolleranza alle alte temperature, caratteristiche di commutazione rapide ed elevata affidabilità.
1. Alimentazione: L'IKW30N60T può essere utilizzato in circuiti come alimentatori switching, inverter e convertitori DC-DC per fornire un'uscita di potenza stabile.
2. Azionamento del motore: Nei sistemi di azionamento dei motori, come veicoli elettrici, robot industriali, turbine eoliche, ecc., l'IKW30N60T garantisce un controllo efficiente del motore e una conversione di potenza ottimale.
3. Applicazione di illuminazione: Nei sistemi di illuminazione a LED, l'IKW30N60T può essere utilizzato per i circuiti di pilotaggio e di controllo della potenza, migliorando l'efficienza energetica e la stabilità del sistema di illuminazione.
4. Automazione industriale: L'IKW30N60T può essere utilizzato in apparecchiature di automazione industriale, come sistemi di controllo PLC, driver per sensori, ecc., per migliorare le prestazioni e l'affidabilità delle apparecchiature.
Servizio post-vendita del prodotto
La procedura di ispezione dei sistemi dei moduli Qur comprende
1. Verifica dell'etichetta secondo la scheda tecnica. Assicurarsi che il logo, il codice prodotto (PN), il codice di distribuzione (D/C), il numero di lotto, il livello di sicurezza del prodotto (MSL), la dicitura RoHS, ecc. sull'etichetta siano corretti.
2. Ispezionare le condizioni di imballaggio e assicurarsi che tutti i prodotti siano ben sigillati in modo antistatico.
3. Osservazioni approfondite, come la stampa e il controllo dei pin al microscopio, per la rilevazione della qualità.
4. Per una maggiore garanzia, eseguiamo ulteriori test, come test elettrici o altri test tecnici, presso i nostri laboratori di prova interni e certificati.
5. Foto digitali di tutti i componenti dei sistemi a circuito integrato in uscita.
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