ऑनसेमी F5BP-PIMs सौर ऊर्जा उत्पादन और ऊर्जा भंडारण को बढ़ावा देगा

नवीकरणीय ऊर्जा को अपनाने में लगातार वृद्धि के साथ, चरम मांग प्रबंधन और निरंतर बिजली आपूर्ति सुनिश्चित करने जैसे समाधानों की आवश्यकता भी बढ़ती जा रही है। ग्रिड, ऊर्जा भंडारण प्रणालियों और डाउनस्ट्रीम लोड तक नवीकरणीय ऊर्जा को न्यूनतम बिजली हानि के साथ पहुंचाना अत्यंत महत्वपूर्ण होता जा रहा है। ऑनसेमी ने इन उद्देश्यों के लिए कई उत्पाद लॉन्च किए हैं।

एफ5बीपी पावर मॉड्यूल ऊर्जा भंडारण प्रणाली अनुप्रयोगों के लिए

हाल ही में, ऑनसेमी ने एफ5बीपी पैकेजिंग में सिलिकॉन और सिलिकॉन कार्बाइड हाइब्रिड पावर इंटीग्रेटेड मॉड्यूल (पीआईएम) की नवीनतम पीढ़ी को लॉन्च किया है, जो बड़े सोलर स्ट्रिंग इनवर्टर या ऊर्जा भंडारण प्रणालियों (ईएसएस) की शक्ति बढ़ाने के लिए आदर्श हैं।

पिछली पीढ़ी के उत्पादों की तुलना में, ये मॉड्यूल समान आकार में उच्च शक्ति घनत्व और दक्षता प्रदान करते हैं, जिससे सौर इनवर्टर की कुल सिस्टम शक्ति 300 किलोवाट से बढ़कर 350 किलोवाट हो जाती है। इसका अर्थ है कि एक बड़े सौर ऊर्जा संयंत्र को स्थापित करने के साथ-साथ, ये मॉड्यूल समान आकार में उच्च शक्ति घनत्व और दक्षता प्रदान करते हैं।नेतृत्व किया नवीनतम पीढ़ी के मॉड्यूल का उपयोग करके एक गीगावाट की क्षमता से प्रति घंटे लगभग दो मेगावाट ऊर्जा की बचत की जा सकती है, जो प्रति वर्ष 700 से अधिक घरों को बिजली प्रदान करने के बराबर है। इसके अलावा, समान क्षमता प्राप्त करने के लिए कम मॉड्यूल की आवश्यकता होती है, जिससे घटक लागत में 25% से अधिक की कमी आ सकती है।

सौर ऊर्जा अपनी न्यूनतम समतुल्य ऊर्जा लागत के कारण विश्व स्तर पर नवीकरणीय ऊर्जा का पसंदीदा स्रोत बनती जा रही है। सौर ऊर्जा उत्पादन की अस्थिरता की भरपाई के लिए, बिजली कंपनियां ग्रिड की स्थिरता सुनिश्चित करने हेतु बड़े बैटरी ऊर्जा भंडारण तंत्र (BESS) भी स्थापित कर रही हैं। इस प्रणाली संयोजन को समर्थन देने के लिए, निर्माताओं और बिजली कंपनियों को उच्चतम दक्षता और विश्वसनीय विद्युत रूपांतरण प्रदान करने वाले समाधानों की आवश्यकता है। दक्षता में प्रत्येक 0.1% की वृद्धि से प्रति गीगावाट स्थापित क्षमता पर प्रति वर्ष परिचालन लागत में $250,000 की बचत की जा सकती है।

F5BP-PIM में 1050V FS7 IGBT और 1200V D3 EliteSiC एकीकृत हैं। डायोड उच्च वोल्टेज और करंट रूपांतरण प्राप्त करने के साथ-साथ बिजली की खपत को कम करने और विश्वसनीयता में सुधार करने के लिए। FS7 IGBT में टर्न-ऑफ लॉस कम होता है, जिससे स्विचिंग लॉस 8% तक कम हो जाता है, जबकि EliteSiC डायोड उत्कृष्ट स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करते हैं, जिससे पिछली पीढ़ियों की तुलना में ऑन-स्टेट वोल्टेज ड्रॉप (VF) 15% तक कम हो जाता है।

इन PIM में एक अभिनव I-टाइप न्यूट्रल पॉइंट क्लैम्प्ड (INPC) टोपोलॉजी इन्वर्टर मॉड्यूल और एक फ्लाइंग कैपेसिटर टोपोलॉजी बूस्ट मॉड्यूल शामिल हैं। मॉड्यूल में अनुकूलित विद्युत लेआउट और उन्नत डायरेक्ट कॉपर बॉन्ड (DBC) सबस्ट्रेट का उपयोग किया गया है ताकि आवारा इंडक्टेंस और थर्मल प्रतिरोध को कम किया जा सके। इसके अतिरिक्त, कॉपर सबस्ट्रेट जंक्शन से हीट सिंक तक थर्मल प्रतिरोध को 9.3% तक कम कर देता है, जिससे यह सुनिश्चित होता है कि मॉड्यूल भारी लोड के तहत भी ठंडा रहे। यह थर्मल प्रबंधन मॉड्यूल की दक्षता और जीवनकाल को बनाए रखने के लिए महत्वपूर्ण है, जिससे यह उन चुनौतीपूर्ण अनुप्रयोगों में बहुत प्रभावी साबित होता है जिनमें विश्वसनीय और निरंतर बिजली आपूर्ति की आवश्यकता होती है।

“सूर्य के प्रकाश पर निर्भर एक परिवर्तनशील ऊर्जा स्रोत के रूप में, वैश्विक ग्रिडों की स्थिरता और विश्वसनीयता को पीक और ऑफ-पीक बिजली मांग के दौरान बनाए रखने के लिए सिस्टम की दक्षता, विश्वसनीयता और उन्नत भंडारण समाधानों में निरंतर प्रगति की आवश्यकता है,” ऑनसेमी के पावर सॉल्यूशंस ग्रुप के औद्योगिक पावर डिवीजन के उपाध्यक्ष श्रावण वनपार्थी ने कहा। “अधिक कुशल बुनियादी ढांचा सौर ऊर्जा के उपयोग को बढ़ाता है और हमें आश्वस्त करता है कि जैसे-जैसे अधिक सौर ऊर्जा उत्पादन संयंत्र स्थापित होंगे, ऊर्जा की बर्बादी कम होगी और हमें जीवाश्म ईंधन से दूर ले जाने में मदद मिलेगी।”

7वीं पीढ़ी के आईजीबीटी मॉड्यूल नवीकरणीय ऊर्जा अनुप्रयोगों के डिजाइन को सरल बनाते हैं।

ऑनसेमी 7वीं पीढ़ी का 1200V QDual3 इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर (IGBT) पावर मॉड्यूल पिछले समान उत्पादों की तुलना में उच्च पावर घनत्व और 10% अधिक आउटपुट पावर प्रदान करता है।

150 किलोवाट के इन्वर्टर में उपयोग किए जाने पर, QDual3 मॉड्यूल अपने निकटतम प्रतिस्पर्धी की तुलना में 200 वाट कम ऊर्जा हानि उत्पन्न करता है, जिससे हीट सिंक का आकार काफी कम हो जाता है। इसे कठोर परिस्थितियों में काम करने के लिए डिज़ाइन किया गया है और यह सौर ऊर्जा संयंत्रों के लिए केंद्रीय इन्वर्टर, ऊर्जा भंडारण प्रणाली (ESS), वाणिज्यिक कृषि वाहन (CAV) और औद्योगिक मोटर ड्राइव जैसे उच्च-शक्ति कन्वर्टर्स के लिए आदर्श है।

QDual3 मॉड्यूल के साथ, निर्माता समान सिस्टम आकार में अधिक मजबूत बिजली उत्पादन और भंडारण क्षमताओं वाले सौर इनवर्टर और ऊर्जा भंडारण प्रणालियों को डिजाइन कर सकते हैं, ऊर्जा प्रबंधन दक्षता में सुधार कर सकते हैं और भंडारण क्षमता को बढ़ा सकते हैं, ताकि सौर ऊर्जा को ग्रिड से अधिक सुचारू रूप से जोड़ा जा सके।

यह मॉड्यूल ऊर्जा भंडारण प्रणाली में अतिरिक्त बिजली को संग्रहित करने की सुविधा भी प्रदान करता है, जिससे सौर ऊर्जा उत्पादन केंद्रों की अनियमित बिजली आपूर्ति की समस्या को प्रभावी ढंग से कम किया जा सकता है और बिजली आपूर्ति की विश्वसनीयता और स्थिरता सुनिश्चित की जा सकती है। बड़े पैमाने पर सिस्टम अनुप्रयोगों के लिए, इन मॉड्यूल को समानांतर क्रम में जोड़कर आउटपुट पावर को कई मेगावाट तक बढ़ाया जा सकता है।

QDual3 IGBT मॉड्यूल 800 A हाफ-ब्रिज कॉन्फ़िगरेशन को अपनाता है, इसमें नई 7वीं पीढ़ी की ट्रेंच फील्ड स्टॉप IGBT और डायोड तकनीक एकीकृत है, और स्विचिंग और कंडक्शन हानियों को कम करने के लिए ON सेमीकंडक्टर की उन्नत पैकेजिंग तकनीक का उपयोग किया गया है। 800 A QDual3 मॉड्यूल में IGBT Vce(sat) मात्र 1.75V (175℃) जितना कम है, Eoff कम है, और निकटतम विकल्प की तुलना में ऊर्जा हानि 10% कम है। QDual3 मॉड्यूल ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों के लिए आवश्यक कड़े मानकों को भी पूरा करता है।