- Serveur
- Composants
- Fibre de carbone
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- Serveur H3C
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- disque dur
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- relais
- contrôle de puissance
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- Connecteur de pont (fiche de cavalier)
- Interface homme-machine (IHM)
- moniteur de puissance
- moniteur de puissance 1420
- Transformateur de courant 1411
- douille
- système
- relais électrique
- convertisseur de fréquence
- Installez le connecteur GND sur la carte.
- émetteur-récepteur
- Carte d'option de module
- module
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Modules IGBT TO-247 pour machine à souder à onduleur haute puissance avec transistor IKW30N60T
Technologie et avantages du produit
L'IKW30N60T est un IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) de 600 V fabriqué par Infineon Technologies et conditionné en boîtier TO-247. Ce produit présente les caractéristiques suivantes :
Faible chute de tension de saturation (VCEsat), avec une valeur typique de 1,5 V.
La température maximale de jonction est de 175 °C.
La durée de tenue en court-circuit est de 5 microsecondes.
Conçu pour les convertisseurs de fréquence et les alimentations sans interruption (ASI).
L'adoption de TRENCHSTOP™ avec la technologie Fieldstop offre une distribution compacte des paramètres, une grande robustesse, un comportement stable en température, une vitesse de commutation élevée et un faible VCE (sat).
Grâce à son coefficient de température positif, il est pratique pour la commutation en parallèle.
Faibles interférences électromagnétiques (EMI) et faible charge de grille.
Diode de commande anti-émetteur parallèle à récupération très douce et rapide.
Valider l'application cible conformément aux normes JEDEC.
Revêtement sans plomb, conforme aux normes RoHS.
Processus de fabrication du produit
Les valeurs nominales maximales de l'IKW30N60T comprennent :
La tension collecteur-émetteur (VCE) est de 600 V.
Le courant de collecteur CC (IC) est de 45 A à 25 °C et de 39 A à 100 °C.
Le courant du collecteur d'impulsions (ICpulses) est de 90 A.
La tension grille-émetteur (VGE) est de ± 20V.
La durée de tenue en court-circuit est de 5 microsecondes.
La dissipation de puissance (Ptot) est de 187W à 25 °C.
La tension de claquage collecteur-émetteur (V (BR) C) est de 600V.
La tension de saturation collecteur-émetteur (VCE (sat)) est de 1,5 V à 25 °C et de 1,9 V à 175 °C.
La tension directe (VF) de la diode est de 1,65 V à 25 °C et de 1,6 V à 175 °C.
La tension de seuil de l'émetteur de grille (VGE (th)) est comprise entre 4,1 V et 5,7 V.
Le courant collecteur à tension de grille nulle (ICE (S)) est de 40 µ A à 25 ° C et de 2000 µ A à 175 ° C.
Le temps de retard de conduction (td (on)) est de 23 ns.
Le temps de montée (tr) est de 21 ns.
Le délai d'arrêt (td (off)) est de 254 ns.
Le temps de descente (tf) est de 46 ns.
L'énergie de conduction (Eon) est de 0,69 mJ.
L'énergie de dégagement (Eoff) est de 0,77 mJ.
L'énergie totale de commutation (Ets) est de 1,46 mJ.
Domaines d'application du produit
L'IKW30N60T est un MOSFET de puissance haute performance produit par Infineon, caractérisé par une faible résistance à l'état passant, une tolérance élevée aux températures, des caractéristiques de commutation rapides et une grande fiabilité.
1. Alimentation électrique : L'IKW30N60T peut être utilisé dans des circuits tels que les alimentations à découpage, les onduleurs et les convertisseurs CC-CC pour fournir une puissance de sortie stable.
2. Entraînement par moteur : Dans les systèmes d'entraînement de moteurs tels que les véhicules électriques, les robots industriels, les éoliennes, etc., l'IKW30N60T assure un contrôle moteur et une conversion de puissance efficaces.
3. Application d'éclairage : Dans les systèmes d'éclairage LED, l'IKW30N60T peut être utilisé pour les circuits de commande et le contrôle de puissance, améliorant ainsi l'efficacité énergétique et la stabilité du système d'éclairage.
4. Automatisation industrielle : L'IKW30N60T peut être utilisé dans les équipements d'automatisation industrielle, tels que les systèmes de contrôle PLC, les pilotes de capteurs, etc., pour améliorer les performances et la fiabilité des équipements.
Service après-vente des produits
La procédure d'inspection des systèmes de modules Qur comprend
1. Vérification de l'étiquette conformément à la fiche technique. Assurez-vous que le logo, la référence produit, le numéro de lot, le numéro de série, la mention RoHS, etc. figurant sur l'étiquette sont corrects.
2. Inspection de l'état de l'emballage : s'assurer que tous les produits sont bien scellés de manière antistatique.
3. Des contrôles approfondis, tels que l'impression et la vérification des broches au microscope, permettent de contrôler la qualité.
4. Effectuer des tests supplémentaires, tels que des tests électriques ou d'autres tests techniques, pour une garantie supplémentaire via nos laboratoires de test internes certifiés.
5. Photos numériques de toutes les pièces des systèmes de circuits intégrés sortants.
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