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IKW30N60T TO-247 Modules IGBT High-Power Inverter Welding Machine With Transistor
Produkttechnologie und Vorteile
Der IKW30N60T ist ein 600-V-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Infineon Technologies im TO-247-Gehäuse. Dieses Produkt weist folgende Eigenschaften auf:
Niedriger Sättigungsspannungsabfall (VCEsat) mit einem typischen Wert von 1,5 V.
Die maximale Sperrschichttemperatur beträgt 175 °C.
Die Kurzschlussfestigkeit beträgt 5 Mikrosekunden.
Konzipiert für Frequenzumrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).
Durch die Verwendung der TRENCHSTOP™-Technologie mit Fieldstop-Technologie bietet es eine kompakte Parameterverteilung, hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten, hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige VCE (sat).
Aufgrund seines positiven Temperaturkoeffizienten eignet es sich gut für die Parallelschaltung.
Geringe elektromagnetische Störungen (EMI) und geringe Gate-Ladung.
Eine sehr weiche und schnell wiederherstellende Antiparallel-Emitter-Steuerdiode.
Validieren Sie die Zielanwendung gemäß den JEDEC-Standards.
Bleifreie Beschichtung, entspricht den RoHS-Standards.
Produktherstellungsprozess
Die maximal zulässigen Werte des IKW30N60T umfassen:
Die Kollektor-Emitter-Spannung (VCE) beträgt 600 V.
Der Gleichstromkollektorstrom (IC) beträgt 45 A bei 25 °C und 39 A bei 100 °C.
Der Impulskollektorstrom (ICpulses) beträgt 90A.
Die Gate-Emitter-Spannung (VGE) beträgt ± 20 V.
Die Kurzschlussfestigkeit beträgt 5 Mikrosekunden.
Die Verlustleistung (Ptot) beträgt 187W bei 25 °C.
Die Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (V (BR) C) beträgt 600 V.
Die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE (sat)) beträgt 1,5 V bei 25 °C und 1,9 V bei 175 °C.
Die Durchlassspannung (VF) der Diode beträgt 1,65 V bei 25 °C und 1,6 V bei 175 °C.
Die Gate-Emitter-Schwellenspannung (VGE (th)) liegt zwischen 4,1 V und 5,7 V.
Der Kollektorstrom bei Null-Gate-Spannung (ICE (S)) beträgt 40 µ A bei 25 °C und 2000 µ A bei 175 °C.
Die Leitungsverzögerungszeit (td (on)) beträgt 23 ns.
Die Anstiegszeit (tr) beträgt 21 ns.
Die Abschaltverzögerungszeit (td (off)) beträgt 254 ns.
Die Sinkzeit (tf) beträgt 46 ns.
Die Leitungsenergie (Eon) beträgt 0,69 mJ.
Die Abschaltenergie (Eoff) beträgt 0,77 mJ.
Die gesamte Schaltenergie (Ets) beträgt 1,46 mJ.
Anwendungsbereiche des Produkts
Der IKW30N60T ist ein Hochleistungs-Leistungs-MOSFET von Infineon, der sich durch niedrigen Einschaltwiderstand, hohe Temperaturtoleranz, schnelle Schaltcharakteristik und hohe Zuverlässigkeit auszeichnet.
1. Stromversorgung: Der IKW30N60T kann in Schaltungen wie Schaltnetzteilen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern eingesetzt werden, um eine stabile Ausgangsleistung zu gewährleisten.
2. Motorantrieb: In Motorantriebssystemen wie Elektrofahrzeugen, Industrierobotern, Windkraftanlagen usw. erzielt der IKW30N60T eine effiziente Motorsteuerung und Leistungsumwandlung.
3. Beleuchtungsanwendung: In LED-Beleuchtungssystemen kann IKW30N60T für Treiberschaltungen und Leistungssteuerung verwendet werden, wodurch die Energieeffizienz und Stabilität des Beleuchtungssystems verbessert werden.
4. Industrielle Automatisierung: Der IKW30N60T kann in industriellen Automatisierungsanlagen wie SPS-Steuerungssystemen, Sensortreibern usw. eingesetzt werden, um die Leistung und Zuverlässigkeit der Anlagen zu verbessern.
Produkt-Kundendienst
Das Inspektionsverfahren von Qur Modules Systems umfasst
1. Überprüfung der Etiketten gemäß Datenblatt. Stellen Sie sicher, dass Logo, Teilenummer, Lieferschein, Chargennummer, Sicherheitsdatenblatt, RoHS-Konformität usw. auf dem Etikett korrekt sind.
2. Überprüfung des Verpackungsbedingungens und Sicherstellung, dass alle Produkte ordnungsgemäß antistatisch versiegelt sind.
3. Umfangreiche Betrachtungen wie Druck- und Stiftprüfung unter dem Mikroskop zur Qualitätssicherung.
4. Zur weiteren Gewährleistung können zusätzliche Tests wie elektrische Prüfungen oder andere technische Prüfungen in unseren hauseigenen, zertifizierten Testlaboren durchgeführt werden.
5. Digitale Fotos aller ausgehenden Teile von integrierten Schaltkreissystemen.
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