- الخادم
- عناصر
- ألياف الكربون
- شريحة تحويل تناظري إلى رقمي
- دائرة متكاملة لإدارة الطاقة
- تخزين
- جهاز توجيه H3C
- خادم H3C
- خادم إنسبور
- القرص الصلب
- محول حلقة HART مدخل تناظري
- قارئ
- وحدة إيثرنت
- حارس إيدج
- حارس أمن
- مدير سجاد مات جارد
- المرحل
- التحكم في الطاقة
- يُحوّل
- محرك سيرفو
- وحدة الإدخال/الإخراج
- موصل الجسر (قابس التوصيل)
- واجهة الإنسان والآلة (HMI)
- جهاز مراقبة الطاقة
- شاشة مراقبة الطاقة 1420
- محول التيار 1411
- المقبس
- نظام
- مرحل كهربائي
- محول التردد
- قم بتثبيت موصل GND على اللوحة
- جهاز الإرسال والاستقبال
- بطاقة خيارات الوحدة
- وحدة نمطية
0102030405
ماكينة لحام عاكسة عالية الطاقة مزودة بترانزستور IGBT من نوع IKW30N60T TO-247
تكنولوجيا المنتج ومزاياه
IKW30N60T هو منتج IGBT (ترانزستور ثنائي القطب ذو بوابة معزولة) بجهد 600 فولت، من إنتاج شركة Infineon Technologies، ومُعبأ في غلاف TO-247. يتميز هذا المنتج بالخصائص التالية:
انخفاض جهد التشبع المنخفض (VCEsat)، بقيمة نموذجية تبلغ 1.5 فولت.
تبلغ درجة حرارة الوصلة القصوى 175 درجة مئوية.
يبلغ زمن تحمل قصر الدائرة 5 ميكروثانية.
مصمم لمحولات التردد ووحدات تزويد الطاقة غير المنقطعة (UPS).
بفضل اعتماد تقنية TRENCHSTOP ™ مع Fieldstop، فإنه يوفر توزيعًا مضغوطًا للمعلمات، ومتانة عالية، وسلوكًا مستقرًا في درجة الحرارة، وسرعة تبديل عالية، وانخفاض VCE (sat).
بفضل معامل درجة الحرارة الموجب، فهو مناسب للتبديل المتوازي.
تداخل كهرومغناطيسي منخفض (EMI) وشحنة بوابة منخفضة.
صمام ثنائي للتحكم في الباعث المضاد للتوازي يتميز باستجابة سريعة وناعمة للغاية.
التحقق من صحة التطبيق المستهدف وفقًا لمعايير JEDEC.
طلاء خالٍ من الرصاص، متوافق مع معايير RoHS.
عملية تصنيع المنتج
تشمل القيم القصوى المقدرة لـ IKW30N60T ما يلي:
يبلغ جهد الجامع-الباعث (VCE) 600 فولت.
يبلغ تيار جامع التيار المستمر (IC) 45 أمبير عند 25 درجة مئوية و 39 أمبير عند 100 درجة مئوية.
يبلغ تيار جامع النبضات (ICpulses) 90 أمبير.
جهد البوابة الباعثة (VGE) هو ± 20 فولت.
يبلغ زمن تحمل قصر الدائرة 5 ميكروثانية.
يبلغ معدل تبديد الطاقة (Ptot) 187 واط عند درجة حرارة 25 درجة مئوية.
يبلغ جهد انهيار جامع الباعث (V (BR) C) 600 فولت.
يبلغ جهد التشبع بين الجامع والباعث (VCE (sat)) 1.5 فولت عند 25 درجة مئوية و 1.9 فولت عند 175 درجة مئوية.
الجهد الأمامي (VF) للثنائي هو 1.65 فولت عند 25 درجة مئوية و 1.6 فولت عند 175 درجة مئوية.
يتراوح جهد عتبة باعث البوابة (VGE (th)) بين 4.1 فولت و 5.7 فولت.
يبلغ تيار جامع الجهد الصفري للبوابة (ICE (S)) 40 ميكرو أمبير عند 25 درجة مئوية و 2000 ميكرو أمبير عند 175 درجة مئوية.
زمن تأخير التوصيل (td (on)) هو 23 نانوثانية.
زمن الصعود (tr) هو 21 نانوثانية.
وقت تأخير الإيقاف (td (off)) هو 254 نانوثانية.
زمن الهبوط (tf) هو 46 نانوثانية.
طاقة التوصيل (Eon) هي 0.69 مللي جول.
الطاقة المنقطعة (Eoff) هي 0.77 مللي جول.
تبلغ طاقة التبديل الكلية (Ets) 1.46 مللي جول.
مجالات استخدام المنتج
IKW30N60T هو MOSFET عالي الأداء تنتجه شركة Infineon، ويتميز بمقاومة منخفضة، وتحمل درجات حرارة عالية، وخصائص تبديل سريعة، وموثوقية عالية.
1. مصدر الطاقة: يمكن استخدام IKW30N60T في دوائر مثل مصادر الطاقة التبديلية، والمحولات، ومحولات التيار المستمر إلى التيار المستمر لتوفير خرج طاقة مستقر.
2. محرك القيادة: في أنظمة محركات القيادة مثل المركبات الكهربائية والروبوتات الصناعية وتوربينات الرياح وما إلى ذلك، يحقق IKW30N60T تحكمًا فعالًا في المحرك وتحويل الطاقة.
3. تطبيقات الإضاءة: في أنظمة إضاءة LED، يمكن استخدام IKW30N60T لدوائر القيادة والتحكم في الطاقة، مما يحسن كفاءة الطاقة واستقرار نظام الإضاءة.
4. الأتمتة الصناعية: يمكن استخدام IKW30N60T في معدات الأتمتة الصناعية، مثل أنظمة التحكم PLC، ومحركات أجهزة الاستشعار، وما إلى ذلك، لتحسين أداء المعدات وموثوقيتها.
خدمة ما بعد البيع للمنتج
تتضمن إجراءات فحص أنظمة وحدات القرآن الكريم ما يلي:
1. التحقق من صحة الملصق وفقًا لبيانات المنتج. تأكد من صحة الشعار، ورقم القطعة، ورمز التحقق، ورقم الدفعة، ومستوى حساسية الرذاذ، ومتطلبات RoHS، وما إلى ذلك الموجودة على الملصق.
2. فحص حالة التعبئة والتأكد من أن جميع المنتجات محكمة الإغلاق بشكل جيد ضد الكهرباء الساكنة.
3. عمليات فحص شاملة مثل الطباعة وفحص الدبابيس تحت المجهر للكشف عن الجودة.
4. إجراء اختبارات إضافية مثل الاختبارات الكهربائية أو الاختبارات الفنية الأخرى لمزيد من الضمان من خلال مختبرات الاختبار المعتمدة لدينا.
5. صور رقمية لجميع أجزاء أنظمة الدوائر المتكاملة الخارجة.
الوصف 2